Semiconductor pressus sensoriis in duo genera dividi potest, unum innititur principio, quod characteres I-υ semiconductoris PN junctionis (vel juncturae schottky) mutationem sub urgentibus habent.Effectio huius pressionis sensitivae elementi valde instabilis est nec valde evoluta est.Altera est sensor secundum effectum semiconductorem piezoresistivum, quae est maxima varietas pressionis sensoris semiconductoris.Primis diebus, micas semiconductoris maxime coniunctae erant elementis elasticis, ut variae accentus et iactantia instrumenta mensurae facerent.Anno 1960, evolutione semiconductoris ambitus technologiae integratae, semiconductor pressionis sensoris cum diffusione resistor elementi piezoresistivo apparuit.Hoc genus pressionis sensorem habet structuram simplicem et certam, nullas partes motivas relativas, et elementum sensitivum et elasticum pressionis elementi sensoris integrantur, quae pigritia mechanica vitat et subrepit et sensus effectus meliorat.

Piezoresistivus effectus semiconductoris Semiconductoris proprium habet vim externam relatam, hoc est, resistivity (per symbolum ρ repraesentatum) cum accentus quam fert, qui effectus piezoresistivus appellatur.Relativa mutatio resistentiae sub actione unitatis accentus coefficiens piezoresistivus appellatur, quod symbolo π.Mathematice exprimitur ut ρ/ρ = π σ.

Ubi σ accentus significat.Mutatio resistentiae valor (R/R) causatus a resistentia semiconductoris innixus maxime determinatur mutatione resistivity, sic expressio effectus piezoresistivi etiam scribi potest ut R/R=πσ.

Ex vi externae actione quaedam vis (σ) et cola (ε) generantur in crystallis semiconductoribus, et relatio inter illa determinatur per modulum Iuvenis materiae (Y) materiae, id est Y=σ/ε.

Si piezoresistivus effectus per contentionem semiconductoris exprimitur, est R/R=Gε.

G vocatur sensitivum factor pressionis sensoris, quod significat relativum valorem mutationis resistentiae sub unitatis contentionem.

Piezoresistivus coefficiens vel sensibilitas factor est fundamentalis modulus corporis semiconductoris piezoresistivi effectus.Necessitudo inter eos, perinde ac relatio inter accentus et cantilena, determinatur per modulum Iuvenis materiae, id est g = π y.

Propter anisotropium crystallorum semiconductoris in elasticitate, modulus et piezoresistivus iuventutis mutationis coefficiens cum orientatione crystalli.Magnitudo effectus semiconductoris piezoresistivi etiam ad resistivity semiconductoris proxime comparatur.Inferior resistentia, minor factor sensus.Piezoresistivus effectus diffusionis resistentiae determinatur per orientationem crystalli et immunditiae intentionem resistentiae diffusionis.Immunditia concentratio maxime spectat ad immunditiam superficiei concentratio diffusionis iacuit.